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LET-5000系列 半導體靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)-云帆興燁

型號:LET-5000系列
支持定制化

產(chǎn)品描述

LET-5000半導體測試系統(tǒng)是一款測量與分析功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的專用儀器,為所有類型的功率半導體器件提供靜態(tài)參數(shù)測量解決方案。
LET-5000半導體測試系統(tǒng)能在2200V(可擴展為10KV)和1000A (可擴展為6000A)的條件下實現(xiàn)精確測量、分析功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù)。
LET-5000具有快脈沖能力,并具有優(yōu)異的寬電壓和電流測量能力。這些功能能夠對最新的器件(例如 IGBT)和新型材料(例如 GaN 和 SiC)進行測量,可以測試器件包括:MOSFET、IGBT、二極管、三極管、JET、HEMT、光耦等。  
LET-5000由多個獨立的高精度源組成,每個功率源模塊上配備兩個獨立的模數(shù)(AD)轉換器支持2μs采樣率,每個模塊上的驅動能夠獨立精確控制,對有可能影響器件特性的關鍵計時進行精確監(jiān)測。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA 級漏電流測量能力等特點,支持高壓模式下功率器件結電容測試,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

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系統(tǒng)組成

(1)力鈦科LETAK功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),主要包括測試主機、測試線、測試夾具、電腦、上位機軟件,以及相關測試配件等構成。

(2)整套系統(tǒng)采用力鈦科自主開發(fā)的測試主機,內置多種規(guī)格電壓、電流、電容測量單元模塊。結合專用上位機測試軟件,可根據(jù)測試項目需要,設置不同的電壓、電流等參數(shù),以滿足不同測試需求。測試數(shù)據(jù)可保存與導出,并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外,測試主機可與探針臺搭配使用,實現(xiàn)晶圓級芯片測試。
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系統(tǒng)參數(shù) 

項目參數(shù)范圍準確度
集電極-發(fā)射極電壓300V--3500V±0.1%
電流5A--6000A±0.1%
電壓上升沿5msN/A
電流上升沿15μsN/A
最小電壓脈寬1ms±100μs
電流脈寬50μs-500μs±5μs
漏電流測試范圍1nA-100mA
柵極-發(fā)射極電壓300mV--300V±0.1%
電流10nA--1A±0.1%
最小電壓分辨率30μAN/A
最小電流分辨率10pA
N/A
脈沖寬度200μs--100ms
±10μs
電容測試頻率范圍
10Hz-1MHz±0.1%
電容值范圍0.01pF-9.9999F±0.5%
信號電平10mV-2Vrms0.06
偏壓300V--3500V±0.1%
溫控范圍25℃-200℃±1℃



LET-5000系列的主要應用 

■  功率半導體的來料檢驗
■  功率半導體的靜態(tài)參數(shù)驗證或標定
■  實驗室的器件評估
■  功率半導體的生產(chǎn)檢驗和篩選
■  半導體器件的工藝改進評估
■  半導體器件的失效分析
■  半導體器件的教育科研


優(yōu)勢


硬件優(yōu)勢>>>

力鈦科LETAK功率器件靜態(tài)參數(shù) 測試系統(tǒng),配置有多種測量單元模塊, 模塊化的設計測試方法靈活,能夠極 大方便用戶添加或升級測量模塊,適 應測量功率器件不斷變化的需求。

◆   高電壓達8000V(最大擴展至10kV)

◆   大電流達6000A(多模塊并聯(lián))

◆   nA級漏電流μQ 級導通電阻
◆   高精度測量0.1%

◆   模塊化配置可添加或升級測量單元

◆   測試效率高、自動切換、一鍵測試

◆   兼容多種封裝根據(jù)測試需求定制夾具
測試夾具

針對市面上不同封裝類型的硅基功率半導體,IGBTSiC、MOSGaN 等產(chǎn)品,力鈦科提供整套測試夾具解決方案, 可用于TO 單管,半橋模組等產(chǎn)品的測試,后期可根據(jù)客戶需求來定制化相對應封裝。

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軟件特點>>>
◆   測試主機內部采用的電壓、電流測量單元,均采用多 量程設計,測試精度為0.1%

◆   柵極-發(fā)射極,最大支持30V/10A 脈沖電流輸出與測 試,可測試低至pA級漏電流

◆   集電極-發(fā)射極,最大支持6000A高速脈沖電流,典型 上升時間為15 μs, 且具備電壓高速同步采樣功能

◆   最高支持8000V電壓輸出,且自帶漏電流測量 功能

◆  電容特性測試包括輸入電容、輸出電容、以及 反向傳輸電容測試,頻率最高支持1MHz

軟件界面
LET5000series ds cn_04 - 副本.png


測試器件類型及項目


LET-5000系列測試器件類型及項目>>>

參數(shù)分類參數(shù)符號參數(shù)說明
三極管V(BR)CEO集電極-發(fā)射極擊穿電壓
V(BR)CBO集電極-基極擊穿電壓
V(BR)EBO發(fā)射極-基極擊穿電壓
ICBO集電極-基極截止電流
IEBO發(fā)射極-基極截止電流
VCESAT集電極-發(fā)射極飽和電壓
VBESAT基極-發(fā)射極飽和電壓
IC集電極電流
IB基極電流
Ccb集電極-基極電容
Ceb發(fā)射極-基極電容
hFE增益
輸入特性曲線
輸出特性曲線
C-V特性曲線
GaN HEMTV(BR)DSS柵極-源極擊穿電壓
VGS(th)柵極閾值電壓
IDSS源極漏電流
IGSS柵極漏電流
RDS(on)源極-漏極導通電阻
VSD體二極管導通電壓
ISD體二極管導通電流
Ciss輸入電容
Coss輸出電容
Crss反向傳輸電容
gfs跨導
輸入特性曲線
輸出特性曲線
C-V特性曲線
光耦IF正向電流
VF正向電壓
V (BR)反向擊穿電壓
VCE (sat)輸出飽和壓降
ICEO反向截止電流
輸入特性曲線
輸出特性曲線
C-V特性曲線
反向截止電流
輸入電容
輸出電容
入出間隔離電容CIO
輸出電流傳輸比CTR
輸入特性曲線
輸出特性曲線
MOSFETV(BR)DSS柵極-源極擊穿電壓
VGS(th)柵極閾值電壓
IDSS源極漏電流
IGSS柵極漏電流
RDS(on)源極-漏極導通電阻
VSD體二極管導通電壓
ISD體二極管導通電流
Ciss輸入電容
Coss輸出電容
Crss反向傳輸電容
gfs跨導
輸入特性曲線
輸出特性曲線
C-V特性曲線
IGBTVCES集電極-發(fā)射極電壓
V(BR)CES集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VCEsat集電極-發(fā)射極飽和電壓
IC集電極電流
ICES集電極截止電流
VGES柵極-發(fā)射極電壓
VGE (th)柵極-發(fā)射極閾值電壓
IGES柵極漏電流
Ciss輸入電容
Coss輸出電容
Crss反向傳輸電容
gfs跨導
輸入特性曲線
輸出特性曲線
C-V特性曲線
二極管VR反向擊穿電壓
IR反漏電流
VF正向電壓
IF正向電流
Cd電容值
I-V特性曲線
C-V特性曲線


訂購


LET-5000系列訂購信息>>>

型號準確度最大電壓最大電流

LET-5110

±0.1%1200v1000A
LET-5210±0.1%2200V1000A
LET-5220±0.1%2200V2000A
LET-5310±0.1%3500V1000A
LET-5320±0.1%3500V2000A
LET-5340±0.1%3500V4000A
LET-5820±0.1%8000V2000A
LET-5860±0.1%8000V6000A


LET-5000系列系統(tǒng)硬件夾具選件>>>

型號說明
LET-TO-247plus-3LTO-247plus-3L單管器件支持,含治具板;
LET-TO-263TO-263單管器件支持,含治具板;
LET-TO-3PTO-3P單管器件支持,含治具板;
LET-PDFN5X6PDFN5X6單管器件支持,含治具板;
LET-SOT23SOT23單管器件支持,含治具板;
LET-SOT323SOT323單管器件支持,含治具板;
LET-SOP8SOP8單管器件支持,含治具板;
LET-1BEasyPack 1B模塊支持,含治具板;
LET-2BEasyPack 2B模塊支持,含治具板;
LET-PIM3EconoPIM3模塊支持,含治具版;
LET-XXX客戶定制治具板